纳米压印跃过IDM龙门  

出　　处：《集成电路应用》2007年第4期34-34,共1页Application of IC

摘　　要：虽然纳米压印光刻在最近更新的ITRS中排名有所下滑（在22和16nm节点的潜在解决方案中，无掩膜光刻排到了它的前面），但Molecular Imprints Inc．（MII）公司还是宣布了它在这项技术上所取得的最新成绩，即将一台用于下一代光刻（NGL）的Imprio 250设备发售给一家主要的存储器芯片制造商。

关 键 词：纳米压印光刻 龙门 下一代光刻 芯片制造商 INC 存储器 节点 掩膜 

分 类 号：TN305.93[电子电信—物理电子学]