4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器  

An X/Ku-band 4 W Ion-implanted MMIC Power Amplifier

作　　者：李拂晓[1] 孙玉芳[1] 陈克金[1] 蒋幼泉[1] 陈堂胜[1] 林金庭[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第2期98-102,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。A GaAs X/Ku band 4 W MMIC power amplifier has been developedby using ion-implatation processing. Output power of 3-4 W,gain of 9. 5-10. 7dB and the efficiency of 22%-30% have been achieved in the frequency range from 9 to 13 GHz.

关 键 词：砷化镓 离子注入 单片功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统] TN304.23