掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战  

作　　者：James S. 

机构地区：[1]Papanu Applied Materials

出　　处：《集成电路应用》2007年第6期28-28,共1页Application of IC

摘　　要：在65nm及以下节点，掩膜版的清洗变得更为关键，需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中，首先用硫酸／双氧水混合液，然后是氨水／双氧水混合液（APM）。然而，保护膜下的缺陷和因清洗后的硫残留而引起的光致雾状缺陷是193nm光刻掩膜版面临的关键挑战。此外，为返工而进行的光刻胶去除以及刻蚀后的剥离／清洗，都需要类似的工艺流程，从而带来类似的挑战。

关 键 词：掩膜版 光刻胶 清洗 193nm光刻 工艺化学 工艺流程 混合液 双氧水 

分 类 号：TQ460.6[化学工程—制药化工]