用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究  

RESEARCH ON C-V PROPERTY OF MIS STRUCTURE ARE DONE BY L-B FILM

作　　者：沈潮[1] 张学敏[2] 冀文芝 宫明宣 张亮[2] 李铁津 

机构地区：[1]佳木斯工学院,154007 [2]吉林大学

出　　处：《佳木斯工学院学报》1997年第2期109-114,共6页

基　　金：省教委科研基金

摘　　要：测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．C-V property of organic function am is measured for some kinds of laminanted-layer structure of metal. L-B film insulation layer and semiconductor with nanometer thickness. It is found that C-V property is aff ected by molecular-organization composition and oxygenated film thickness.

关 键 词：L-B膜 MIS结构 C-V特性 硅 半导体器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]