用正电子湮没研究中子辐照Si  

作　　者：黄懋容[1] 王蕴玉[1] 杨巨华[1] 何永枢[1] 郭应焕[1] 刘彩池[2] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所,北京100080 [2]河北工学院半导体研究实验室,天津300130

出　　处：《科学通报》1997年第5期480-482,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：中国科学院核分析技术开放实验室资助项目

摘　　要：硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1

关 键 词：中子辐照 正电子湮没 硅 半导体 缺陷 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]