黄懋容

作品数：8被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：正电子湮没半导体掺杂INP磷化铟更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《核技术》《科学通报》更多>>
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水结构的正电子湮没研究被引量：2
《核技术》1998年第3期147-150,共4页郭应焕 张仁武 王蕴玉 杨巨华 黄懋容 
正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰和水具有相同的电子结构。由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成水分子集团，这个基团在范德瓦尔斯色散力的作用下生成宏观水。水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没...
关键词：正电子 湮没正电子素 水结构 电子结构 
用正电子湮没研究中子辐照Si被引量：1
《科学通报》1997年第5期480-482,共3页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 刘彩池 
中国科学院核分析技术开放实验室资助项目
硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受...
关键词：中子辐照 正电子湮没 硅 半导体 缺陷 
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1996年第12期1097-1102,共6页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 孙同年 
国家自然科学基金
用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。
关键词：正电子湮没 半导体 温度 磷化铟 
用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP被引量：1
《核技术》1996年第7期395-398,共4页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 韩玉杰 孙同年 
用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
关键词：正电子湮没 半导体 磷化铟 
用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
《科学通报》1996年第6期499-504,共6页黄懋容 顾华 何永枢 王蕴玉 杨巨华 陈孝琛 
ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地...
关键词：正电子湮没 电阻器 氧化锌陶瓷 
正钒酸钙单晶的正电子湮没研究
《人工晶体学报》1992年第1期84-87,共4页黄懋容 杨巨华 顾华 常英传 
本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。
关键词：正电子湮没 正钒酸钙 晶体 
掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1991年第2期97-102,共6页黄懋容 顾华 王蕴玉 何永枢 杨巨华 林建明 许承晃 
国家自然科学基金
本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。...
关键词：KCL 色心激光晶体 正电子湮没 掺杂 
掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
《人工晶体学报》1990年第1期68-70,共3页黄懋容 何永枢 顾华 王蕴玉 张乐潓 林成天 刘海润 
本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
关键词：正电子湮没 钆镓石榴石 晶体 钙 
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