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作 者:黄懋容[1] 顾华[1] 王蕴玉[1] 何永枢[1] 杨巨华[1] 林建明[2] 许承晃[2]
机构地区:[1]中国科学院高能物理研究所,北京100039 [2]华侨大学材料物理化学研究所,泉州362000
出 处:《高能物理与核物理》1991年第2期97-102,共6页High Energy Physics and Nuclear Physics
基 金:国家自然科学基金
摘 要:本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。在附色的KCl晶体中存在明显的F心。S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响。此外还对掺Na^+的KCl单晶正电子湮没机制进行了讨论。The relation of the live times and S parameters with doped quantities of Na^+ have been studied by positron annihilation method in pure, colourable and irradiant KCl single crystals, The results show that the concentration of vacancies of KCl doped with 800ppm Na^+ is 4.24× 10^(17)/cm^3. It is close to that of the pure KCl crystal. The obvious F centers exist in the colorated crystal. The S parameters are mainly influenced by the external electrons of halide ions. Me- chanism of annihilation of KCl crystal doped with Na^+ has been discussed.
分 类 号:TN244[电子电信—物理电子学]
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