顾华

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供职机构:中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题:正电子湮没氧化锌陶瓷晶体掺杂KCL更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊:《人工晶体学报》《科学通报》更多>>
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用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
《科学通报》1996年第6期499-504,共6页黄懋容 顾华 何永枢 王蕴玉 杨巨华 陈孝琛 
ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地...
关键词:正电子湮没 电阻器 氧化锌陶瓷 
正钒酸钙单晶的正电子湮没研究
《人工晶体学报》1992年第1期84-87,共4页黄懋容 杨巨华 顾华 常英传 
本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。
关键词:正电子湮没 正钒酸钙 晶体 
掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1991年第2期97-102,共6页黄懋容 顾华 王蕴玉 何永枢 杨巨华 林建明 许承晃 
国家自然科学基金
本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。...
关键词:KCL 色心激光晶体 正电子湮没 掺杂 
掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
《人工晶体学报》1990年第1期68-70,共3页黄懋容 何永枢 顾华 王蕴玉 张乐潓 林成天 刘海润 
本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
关键词:正电子湮没 钆镓石榴石 晶体  
铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究
《科学通报》1989年第1期23-25,共3页何永枢 顾华 杨巨华 周光明 杨建华 赵连城 雷廷权 
国家自然科学基金
铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧。
关键词:形状记忆合金 马氏体 正电子湮没 
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