何永枢

作品数：7被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：正电子湮没半导体马氏体转变铜基形状记忆合金硅更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《科学通报》更多>>
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用正电子湮没研究中子辐照Si被引量：1
《科学通报》1997年第5期480-482,共3页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 刘彩池 
中国科学院核分析技术开放实验室资助项目
硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受...
关键词：中子辐照 正电子湮没 硅 半导体 缺陷 
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1996年第12期1097-1102,共6页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 孙同年 
国家自然科学基金
用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。
关键词：正电子湮没 半导体 温度 磷化铟 
用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
《科学通报》1996年第6期499-504,共6页黄懋容 顾华 何永枢 王蕴玉 杨巨华 陈孝琛 
ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地...
关键词：正电子湮没 电阻器 氧化锌陶瓷 
掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1991年第2期97-102,共6页黄懋容 顾华 王蕴玉 何永枢 杨巨华 林建明 许承晃 
国家自然科学基金
本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。...
关键词：KCL 色心激光晶体 正电子湮没 掺杂 
高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究
《科学通报》1990年第12期952-954,共3页吴奕初 王明华 常香荣 田中卓 肖纪美 何永枢 
国家自然科学基金
一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)...
关键词：高纯铝 应变速率 正电子湮没 
掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
《人工晶体学报》1990年第1期68-70,共3页黄懋容 何永枢 顾华 王蕴玉 张乐潓 林成天 刘海润 
本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
关键词：正电子湮没 钆镓石榴石 晶体 钙 
铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究
《科学通报》1989年第1期23-25,共3页何永枢 顾华 杨巨华 周光明 杨建华 赵连城 雷廷权 
国家自然科学基金
铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧。
关键词：形状记忆合金 马氏体 正电子湮没 
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