掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究  

Study on InP Doped With Sulphur and Under DifferentTemperatures by Positron Annihilation

作　　者：黄懋容[1] 王蕴玉[1] 杨巨华[1] 何永枢[1] 郭应焕[1] 孙同年 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所,电子工业部第十三研究所

出　　处：《高能物理与核物理》1996年第12期1097-1102,共6页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。In this paper,the influences of charge carrier concentration(n),mobility andtemperature on vacancy concentration(Cd)were studied by positron annihilation inInp doped with sulphur.The mechanisms of the influences of charge carrierconcentration,mobility and temperature in vacancy are discussed.The types of vacancy are discussed too.

关 键 词：正电子湮没 半导体 温度 磷化铟 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] O471.1[理学—半导体物理]