杨巨华

作品数：14被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：正电子湮没半导体嵌段共聚物掺杂INP更多>>
发文领域：理学电子电信建筑科学核科学技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《核技术》《物理化学学报》《人工晶体学报》更多>>
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磁场对水作用机理的正电子湮没研究被引量：1
《核技术》1999年第12期713-716,共4页郭应焕 杨巨华 
用正电子湮没寿命谱仪对经过磁场处理的水样品进行了对照测量。分析结果表明，磁场能使水的氧原子的部分Ｋ壳电子向核靠近。水的稳定的３－分子集团结构可以维持水对磁化效应的记忆。
关键词：水 磁化 正电子湮没 磁化效应 寿命谱仪 
正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示
《核技术》1998年第10期590-592,共3页郭应焕 杨巨华 
正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出各成分的寿命τi及其零时相对湮没强度Ii(O).指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果并不合理,只有正电子在各湮没态上的零时相对占有数Ni(O)=τiIi(O)或占有率ni(O)=Ni(O)/∑Ni(O)才有...
关键词：正电子湮没 强度 寿命 几率密度 
消除BaF_2闪烁探头快信号幅度随时间衰减的方法
《科学通报》1998年第15期1677-1678,共2页杨巨华 郭应焕 
关键词：氟化钡闪烁体 探头 快信号幅度 衰减 
水结构的正电子湮没研究被引量：2
《核技术》1998年第3期147-150,共4页郭应焕 张仁武 王蕴玉 杨巨华 黄懋容 
正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰和水具有相同的电子结构。由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成水分子集团，这个基团在范德瓦尔斯色散力的作用下生成宏观水。水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没...
关键词：正电子 湮没正电子素 水结构 电子结构 
用激光诱导产生^1O2的正电子湮没研究
《核技术》1998年第2期74-78,共5页王蕴玉 张仁武 郭应焕 杨巨华 
国家自然科学基金
用正电子素ｏ－Ｐｓ研究以亚甲兰为光敏剂在甲酸和水体系中激光诱导单态氧￣１Ｏ＿２的形成。理论推导了ｏ－Ｐｓ湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系。
关键词：正电子素 激光诱导 单态氧 光敏剂 亚甲兰 
用正电子湮没研究中子辐照Si被引量：1
《科学通报》1997年第5期480-482,共3页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 刘彩池 
中国科学院核分析技术开放实验室资助项目
硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受...
关键词：中子辐照 正电子湮没 硅 半导体 缺陷 
掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
《高能物理与核物理》1996年第12期1097-1102,共6页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 孙同年 
国家自然科学基金
用正电子湮设方法研究了掺硫的ＩｎＰ载流于浓度（ｎ）、迁移率和温度对空位浓度的影响，并讨论了它们对空位浓度影响的机理．探讨了空位类型。
关键词：正电子湮没 半导体 温度 磷化铟 
用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP被引量：1
《核技术》1996年第7期395-398,共4页黄懋容 王蕴玉 杨巨华 韩玉杰 孙同年 
用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
关键词：正电子湮没 半导体 磷化铟 
用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
《科学通报》1996年第6期499-504,共6页黄懋容 顾华 何永枢 王蕴玉 杨巨华 陈孝琛 
ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地...
关键词：正电子湮没 电阻器 氧化锌陶瓷 
嵌段共聚物溶液胶束温度行为的正电子湮没研究被引量：1
《物理化学学报》1995年第6期541-546,共6页熊兴民 杨巨华 叶美玲 张迎玖 施良和 
国家自然科学基金;中科院核分析技术开放实验室支持项目
用正电子寿命技术研究了聚苯乙烯—二甲基硅氧烷／正庚烷二嵌段共聚物溶液胶束的温度行为．结果表明正电子湮没参数对溶液中出现的结构和微观环境的变化十分灵敏．在一定的温度范围o-Ps寿命和强度的陡然变化反映了溶液中共聚物分子聚集...
关键词：正电子湮没 嵌段共聚物 胶束 温度效应 
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