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机构地区:[1]中国科学院高能物理研究所,北京100080 [2]中国科学院物理研究所,北京100080
出 处:《人工晶体学报》1992年第1期84-87,共4页Journal of Synthetic Crystals
摘 要:本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。In this paper the internal microdefects of single crystals of〔Ca_3(VO_4)_2〕were studied by Doppler broadening S parameter and positronlifetimes under different growth conditions and different physical treats.
分 类 号:TN304.6[电子电信—物理电子学]
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