基于MEMS牺牲层技术的发展现状  

The current status of sacrificial layer technology based on MEMS

作　　者：吴晓[1] 周星元[1] 

机构地区：[1]武汉科技学院机电工程学院,武汉430074

出　　处：《现代制造工程》2007年第9期86-88,116,共4页Modern Manufacturing Engineering

基　　金：湖北省数字化纺织装备重点实验室资助项目(DTL200604)

摘　　要：综述目前比较前沿的几种牺牲层技术的最新进展,简要阐述硅基牺牲层、光刻胶牺牲层、沉积锌牺牲层以及锗化硅(SiGe)牺牲层技术的基本原理和研究现状;同时对这些牺牲层技术的发展趋势以及应用前景进行展望,指出牺牲层技术是微机电系统推广和应用的关键性问题之一。The latest progress of some sacrificial layer technologies is summarized, explains the basic principle and current status of Si-based sacrificial layer,photoresist sacrificial layer,aggradation Zn as sacrificial layer and SiGe-based sacrificial layer;Furthermore, the development tendency of these technologies is discussed, and it is pointed out that the sacrificial layer technology is one of the key problems for the application of MEMS.

关 键 词：微成形 微机电系统 牺牲层技术 光刻 

分 类 号：TH16[机械工程—机械制造及自动化]