多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析  

Numerical Simulation Analysis of Rate Equation for Multi-quantum Well VCSELs

作　　者：吴文光[1] 范广涵[2] 沈为民[1] 金尚忠[1] 徐时清[1] 

机构地区：[1]中国计量学院信息工程学院光电子系,浙江杭州310018 [2]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631

出　　处：《半导体光电》2007年第5期651-654,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家科技攻关项目(00-068)

摘　　要：采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。Based on the logarithmic relation of gain on carrier density, the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers （VCSELs） taking into account the influence of nonradiative depopulation rate. The relation of device parameter（cavity length and the reflect coefficient of mirror） on threshold current and quantum well numbers are discussed. It will provide theoretical basis for improvement of threshold property optimization of device construction.

关 键 词：垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]