高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究  

Research of the High Performance AlN Ceramic Substrate Production Key Technology

作　　者：刘健[1] 刘志平[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《电子与封装》2007年第12期1-3,6,共4页Electronics & Packaging

摘　　要：文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。The technology of AIN ceramic substrate volume production is introduced in this paper. The influence factors of AIN ceramic substrate volume production and the solutions are studied with emphasis .After researching and experiments, the production craft is optimized. The quality and the end-product-rate of volume production are enhanced.

关 键 词：氮化铝陶瓷基片 生产 关键技术 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]