刘健

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氮化铝陶瓷基片高性能INGAP/GAAS_HBT功率放大器键合线更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子与封装》更多>>
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InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术
《半导体技术》2009年第11期1062-1065,共4页冯威 刘健 
国家重点基础研究发展计划资助项目(973)(2009CB320200);河北省信息产业专项资金资助项目
射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注。用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了封装的负面影响,并进行了试制验证;电...
关键词：功率放大器 封装 键合线 阻抗匹配 无线通信 异质结双极晶体管 
高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究被引量：1
《电子与封装》2007年第12期1-3,6,共4页刘健 刘志平 
文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低...
关键词：氮化铝陶瓷基片 生产 关键技术 
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