键合线

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一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法
《现代电子技术》2025年第4期40-44,共5页薛炳君 郭世龙 严焱津 
随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法。当键合线失效时,...
关键词：SiC MOSFET器件 键合线状态监测 开尔文封装 键合线失效 监测电路 高频脉动电流 
功率器件芯片自发热对水汽入侵的抑制作用
《半导体技术》2025年第1期77-85,共9页吴天华 王延浩 邓二平 王作艺 周国华 黄永章 
国家自然科学基金(52007061);国家电网公司科学技术项目(5108-202218280A-2-110-XG)。
为探究高温高湿环境中功率器件芯片自发热现象对水汽入侵的抑制作用机理及其对功率器件静态参数和封装可靠性的影响,将器件分成三组进行功率循环测试对比实验。第一组器件直接进行功率循环测试;第二组器件在60℃/85%RH环境储存1000 h再...
关键词：高温高湿 功率器件 静态参数 功率循环 封装可靠性 键合线 
基于EMR与V_(eE_peak)组合电参数的IGBT模块封装老化监测
《太阳能学报》2024年第11期1-8,共8页董超 韦虎俊 尹金良 杜明星 
天津市技术创新引导专项基金(20YDTPJC00510)。
该文提出一种基于电磁辐射干扰(EMR)与V_(eE_peak)组合电参数监测IGBT模块封装老化的方法,旨在监测多种老化同时发生时IGBT模块的健康状态。首先,分析V_(eE_peak)和EMR的产生机理以及模块内部寄生参数对VeE和EMR的影响;其次,分析不同老...
关键词：焊料层空洞 IGBT模块 键合线老化 电磁辐射干扰 V_(eE_peak) 
考虑阈值电压漂移的SiC MOSFET功率循环寿命修正技术
《半导体技术》2024年第11期1008-1015,共8页顾殿杰 谢露红 邓二平 吴立信 刘昊 黄永章 
国家自然科学基金(52007061)。
在SiC MOSFET的功率循环测试(PCT)中,饱和压降主要表征键合线的老化状态,其值由导通电阻决定。SiC MOSFET的阈值电压漂移会在导通电阻中引入非键合线老化导致的芯片电阻增量,进而影响寿命判断。为了准确判定键合线失效,设计和搭建阈值...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压漂移 功率循环测试(PCT) 在线监测 芯片电阻 键合线失效 寿命修正 
应用于毫米波通信的键合线互连电路仿真优化设计
《电子制作》2024年第22期34-36,29,共4页陈守维 肖潇 李光辉 何凤 杨清华 
贵州省教育厅2024年度自然科学研究项目(青年项目)(黔教技[2024]224号);微纳与智能制造教育部工程研究中心开放基金项目([2024]WZG04);黔东南科合基础[2021]19号;凯里学院规划课题(2024YB011)。
随着集成电路制造工艺的发展,电子封装技术也进入了一个全新的阶段,作为微电子器件制造过程的重要环节,先进的集成电路封装设计中必须对电路连接不连续结构进行信号完整性的分析,本文分析了毫米波段下不同直径、跨距和拱高的键合线S参...
关键词：键合线 信号完整性 过孔 阻抗变换 
基于长短期记忆神经网络参数辨识的IGBT模块老化判据
《电气应用》2024年第11期96-103,共8页金声超 罗玮 暨力 黄晓宏 吴文宝 
IGBT功能测试技术研究及装置开发(JEPCC-KYXM-2022-034)。
铝键合线脱落或者断裂是造成IGBT内部失效的主要原因,由于应用者无法观测到模块内部,从而无法正确认识模块的失效情况,安全措施不及时,导致系统发生更严重故障。研究了考虑杂散参数的多芯片封装高压大功率IGBT模块的工作特性,以某品牌...
关键词：IGBT缺陷/失效 铝键合线 长短期记忆神经网络(LSTM) 参数辨识 
基于双分支Cauer模型的IGBT模块键合线故障监测方法
《天津理工大学学报》2024年第5期75-79,共5页刘雪庭 杜明星 孙谢鹏 胡经纬 
天津市技术创新引导专项基金(20YDTPJC00510)。
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为电力电子装置的核心器件,针对IGBT模块不断承受温度变化和功率循环后导致的键合线脱落,文中在传统Cauer模型的基础上,提出了芯片-铜端子热流支路的Cauer模型,构建了双...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 键合线断裂 温度特性 Cauer热网络模型 
计及IGBT模块键合线与芯片焊料层老化的热网络法结温计算被引量：1
《铁道机车车辆》2024年第4期28-35,共8页何梦宇 许智亮 谢望玉 葛兴来 王为介 
国家重点研发计划(2018YFB1201801-4)。
文中提出一种计及IGBT模块键合线与芯片焊料层老化的热网络法结温计算,基于Simulink对短时间尺度下损耗与结温的相互依赖关系进行更新,并分别通过双脉冲测试及有限元仿真修正长时间尺度下键合线与芯片焊料层老化对IGBT结温计算的影响,...
关键词：IGBT结温计算 热网络模型法 模块老化 双脉冲试验 有限元仿真 
计及磁链和电流的PMSM DTC系统中功率器件键合线老化监测方法
《电源学报》2024年第4期292-300,共9页赵相睿 董超 姚婉荣 杜明星 
天津市技术创新引导专项(基金)资助项目(20YDTPJC00510)。
在闭环控制系统中,基于电参数的功率器件老化监测方法是电力电子可靠性领域的难点之一。以永磁同步电机直接转矩控制系统为例,研究基于磁链相图和电流的功率逆变器中功率器件老化状态的在线监测方法。首先,分析功率器件老化的特征,得到...
关键词：永磁同步电机 直接转矩控制 功率器件 键合线 老化监测 磁链相图 
电磁寄生参数对SAW滤波器性能的影响
《压电与声光》2024年第4期463-467,共5页魏园林 帅垚 魏子杰 吴传贵 罗文博 张万里 
四川省科技计划基金资助项目(2020YFJ0002)。
设计了B41频段的声表面波(SAW)滤波器,利用三维电磁场仿真工具HFSS建立表面贴装器件(SMD)封装和芯片级(CSP)封装模型,对比两种封装的声-电磁联合仿真结果得出,在滤波器电路拓扑结构中,当2条不同并联支路连接在一起时,由于SMD封装键合引...
关键词：SAW滤波器 表面贴装器件(SMD)封装 芯片级(CSP)封装 电磁寄生参数 带外抑制 键合线 
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