内场限环结构横向MOS晶体管的优化分析  

作　　者：唐本奇[1] 高玉民[1] 罗晋生[1] 

机构地区：[1]西安交通大学

出　　处：《微电子学》1997年第3期155-158,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的耐压。

关 键 词：LDMOST 高压集成电路 MOS晶体管 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN386.1