利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件  

作　　者：徐静波[1] 张海英[1] 王文新 刘亮[1] 黎明[1] 付晓君[1] 牛洁斌[1] 叶甜春[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所.北京100029 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》2008年第5期593-597,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:G2002CB311901);装备预先研究项目(编号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(编号:O6SB124004)资助项目

摘　　要：电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.

关 键 词：电子束光刻 应变高电子迁移率晶体管 T型栅 电流增益截止频率 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]