等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究  

作　　者：周旭升 倪图强 程秀兰[2] 

机构地区：[1]中微半导体设备上海有限公司 [2]上海交通大学微电子学院

出　　处：《集成电路应用》2008年第4期36-38,共3页Application of IC

摘　　要：本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。

关 键 词：材料损伤 等离子体 电介质材料 低K电介质 镶嵌工艺 

分 类 号：TB303[一般工业技术—材料科学与工程] O53[理学—等离子体物理]