低K电介质

作品数:7被引量:26H指数:2
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低k电介质及其设备被引量:5
《电子工业专用设备》2008年第5期28-30,共3页翁寿松 
低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0~2.9,65nm工艺要求k=2.8~2.7,45nm工艺要求k=2.6~2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
关键词:多孔低k电介质 CU互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备 
等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究被引量:1
《集成电路应用》2008年第4期36-38,共3页周旭升 倪图强 程秀兰 
本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。
关键词:材料损伤 等离子体 电介质材料 低K电介质 镶嵌工艺 
杰尔系统发布全球第一款采用低K电介质、0.13微米工艺技术制造的通信芯片
《无线电工程》2003年第5期U027-U028,共2页
关键词:杰尔系统公司 低K电介质 0.13微米工艺 通信芯片 DSPl6411 
低K电介质、0.13μm通信芯片
《电信技术》2003年第5期88-88,共1页
关键词:杰尔系统公司 低K电介质 0.13μm工艺 DSP通信芯片 全铜半导体 
业界要闻
《世界产品与技术》2003年第5期10-10,12,共2页
LG Philips LCD投资设立的TFT-LCD模板工厂如期正式投入运营。江苏省省长梁宝华和南京市市委书记罗志军等10余位领导特地为此走访了L GPhilips LCD南京工厂,就工厂的正式投产给予了热烈的祝贺。 LG Philips LCD南京模板工厂位于南京技...
关键词:中国科学院 Synopsys公司 SOC设计联合实验室 中国埃森哲信息技术中心 杰尔系统公司 低K电介质 
杰尔系统公司发布全球第一款采用低K电介质、0.13μm工艺技术制造的通信芯片
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第2期28-28,共1页
关键词:杰尔系统公司 低K电介质 0.13μm工艺技术 通信芯片 DSP16411 半导体工业 
集成电路铜互连线及相关问题的研究被引量:20
《半导体技术》2001年第2期29-32,共4页宋登元 宗晓萍 孙荣霞 王永青 
论述了Cu作为互连金属的优点、面临的主要问题及解决方案,介绍了制备Cu互连线的双镶嵌工艺及相关工艺问题,讨论了Cu阻挡层材料的作用及选取原则,对低κ材料的研究的进展情况也进行了简要的介绍。
关键词:集成电路 铜互连线 阻挡层 低K电介质 
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