An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs  

应变硅电子迁移率解析模型(英文)

作　　者：李小健[1] 谭耀华[1] 田立林[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第5期863-868,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302705)~~

摘　　要：An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper. The model deals directly with the strain tensor,and thus is independent of the manufacturing process. It is suitable for （100〉/ 〈110） channel nMOSFETs under biaxial or （100〉/〈 110 ） uniaxial stress and can be implemented in conventional device simulation tools .提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及〈100〉/〈110〉方向单轴应力,沟道方向为〈100〉/〈110〉的器件;易于嵌入常用仿真工具中.

关 键 词：STRAINED-SI electron mobility analytical model NMOSFET uniaxial stress/strain 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]