谭耀华

作品数：2被引量：1H指数：1
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An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第5期863-868,共6页李小健 谭耀华 田立林 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302705)~~
An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper. The model deals directly with the strain tensor,and thus is independent of the manufacturing process. It is sui...
关键词：STRAINED-SI electron mobility analytical model NMOSFET uniaxial stress/strain 
应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2144-2149,共6页赵寄 邹建平 谭耀华 余志平 
对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移...
关键词：应变硅 迁移率 k·p方法 蒙特卡罗模拟 
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