邹建平

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：PMOS反型层蒙特卡罗迁移率应变硅更多>>
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应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2144-2149,共6页赵寄 邹建平 谭耀华 余志平 
对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移...
关键词：应变硅 迁移率 k·p方法 蒙特卡罗模拟 
SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第2期299-303,共5页邹建平 田立林 余志平 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 7)~~
利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究 .在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中 ,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制 .在 77～ 30 0K的温度范围内 ,对自旋散射长度、自旋极化...
关键词：自旋场效应晶体管 Rashba自旋轨道相互作用 蒙特卡罗方法 
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