AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究  

The study of the characteristics of the Al_xGa_(1-x)N/AlN superlattice

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 江若琏[1] 刘斌[1] 龚海梅[2] 赵红[1] 修向前[1] 韩平[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《功能材料》2008年第5期727-729,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142);国家科学基金资助项目(6039070,60421003,60676057);教育部重大资助项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)

摘　　要：用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率。AlN/Al0. 3Ga0. 7 N superlattices are grown on sapphire （0001） by metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The reflectivity, SEM, AFM and XRD data of the AlxGa1-xN/AlN superlattices are presented. The result of atomic force microscopy indicates that the AlN/AlGaN superlattices grow on GaN template under quasi-two-dimensional mode. The superlattice has very smooth surface and the interface was distinct. No cracks are observed in the area of the 2-inch wafer.

关 键 词：MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] N304.2[自然科学总论]