对硅微波功率器件金属化系统的改进  

作　　者：郭伟玲[1] 李志国[1] 吉元[1] 程尧海[1] 孙英华[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系可靠性物理实验室

出　　处：《半导体技术》1997年第6期37-39,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：将带有ＴｉＮ、Ｍｏ和Ｗ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频功率管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的器件寿命比用Ｗ作阻挡层的器件提高了２．２倍，比用Ｍｏ作阻挡层的器件提高了１．３倍。ＳＥＭ和ＴＥＭ观察表明，用Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｐｔ／Ａｕ作金属化的产品的失效是由金属化的横向电迁徙导致的开路引起的，ｘ射线分析结果表明Ａｕ没有穿过ＴｉＮ进入Ｓｉ衬底。

关 键 词：阻挡层 金属化系统 硅微波器件 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]