UHV/CVD 设备及其特性  

UHV/CVD System and its Characteristics

作　　者：雷震霖[1] 赵科新[1] 余文斌[1] 任国豪 谢琪[1] 余金中[2,3] 成步文[2,3] 于卓 王启明[2,3] 杨乃恒[2,3] 

机构地区：[1]中国科学院沈阳科学仪器研制中心 [2]中国科学院半导体研究所 [3]东北大学

出　　处：《真空》1997年第6期14-17,共4页Vacuum

摘　　要：本文描述超高真空化学气相淀积系统（ＵＨＶ／ＣＶＤ）的设计思想、系统的结构和性能，着重介绍超高真空的获得和系统的特点，将为“第二代硅”ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。The design, configuration and performances for a UHV/CVD(ultra high vacuum/chemical vapor deposition) system were presented in this paper. The emphases were focused on the realization of ultra high vacuum of the complex system and its characteristics. The system provides an efficient tool for the growth of 'second generation of Si'-SiGe/Si heterostructures and for Si based optoelectronic integration in the future.

关 键 词：硅 IC 设计 UHV/CVD 半导体薄膜技术 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.055