TI在45nm晶体管结工程上取得进展  

作　　者：David Lammers 

出　　处：《集成电路应用》2008年第5期24-24,共1页Application of IC

摘　　要：德州仪器（TI）的技术主管宣布，采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展，这在TI 45nm晶体管技术中扮演了重要角色，目前正在向后半年实现量产的目标迈进。 该公司负责先进CMOS开发的副总裁Ben McKee说，45nm节点最大的挑战是将氮氧化硅（SiON）栅极介电层微缩采用了浸没式光刻，但他们还是避免了昂贵的嵌入式锗硅（eSiGe）应力区或高k栅介电层；他说这些技术将用于制作无线IC的下一工艺节点器件。

关 键 词：晶体管 工程 TI 退火技术 德州仪器 CMOS 氮氧化硅 无线IC 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TU723.3[建筑科学—建筑技术科学]