Pyrex玻璃的ICP刻蚀技术研究  

Study on the ICP Etching Technology for Pyrex Glass

作　　者：江平[1] 侯占强[1] 彭智丹[2] 肖定邦[1] 吴学忠[1] 

机构地区：[1]国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙410073 [2]炮兵学院南京分院,南京210000

出　　处：《传感技术学报》2008年第4期556-558,共3页Chinese Journal of Sensors and Actuators

基　　金：国家自然科学基金项目资助(50375154)

摘　　要：以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增加自偏压是提高刻蚀速率、减小刻蚀面粗糙度的有效方法。Inductively Coupled Plasma Etching Technology of Pyrex glass etched by SF6/Ar. The important parameters ,such as the flow of SF6/Ar , ICP source power , substrate power that affect the etching rate and roughness of glass are analyzed. Perpendicular experimentation is used in the experiment. An etch rate of 106.8 nm/min With a surface roughness of 5. 483 nm is obtained. In the experiment,increasing self-bias voltage is an efficient method to improve the etching rate and surface roughness.

关 键 词：ICP刻蚀 MEMS Pyrex玻璃 实验设计 

分 类 号：TH16[机械工程—机械制造及自动化]