C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射  

作　　者：赵俊[1] 杨根庆[1] 林梓鑫[1] 江炳尧[1] 周祖尧[1] 柳襄怀[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200050

出　　处：《科学通报》1997年第23期2575-2576,共2页Chinese Science Bulletin

基　　金：上海市发展基金资助项目

摘　　要：自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。

关 键 词：二氧化硅 薄膜 蓝光发射 离子注入 半导体 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]