英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS3系列可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%  

出　　处：《电源世界》2008年第6期17-17,共1页The World of Power Supply

摘　　要：2008年5月23日，德国Neubiberg和中国深圳讯英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）今日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS口3N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuPerS08封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，

关 键 词：无铅封装 通态电阻 电信应用 消费类 N沟道MOSFET 工业 功率 股份公司 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.1