无铅封装

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创新型汽车MOSFET H-PSOF TO无铅封装技术
《半导体信息》2012年第3期25-26,共2页赵佶 
飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H-PSOF(带散热片的小外形扁平引脚塑料封装)先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。
关键词：无铅封装 塑料封装 英飞凌科技 飞兆半导体 新型汽车 散热片 许可协议 功率管理 电池管理 系统供应商 
EPC推出第二代200 V增强型GaN功率晶体管
《半导体信息》2011年第5期18-19,共2页马莉雅 
EPC公司推出的第二代200 V增强型GaN场效应晶体管EPC2010,可实现高频率转换,性能更优势,并采用符合RoHS(《关于电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》)标准的无铅封装。与技术成熟。
关键词：功率晶体管 EPC GaN 强型 电子电器设备 无铅封装 频率转换 硬开关 高频电路 负载点 
恩智浦推出集成稳压器的紧凑封装LIN收发器
《中国集成电路》2011年第4期12-12,共1页
恩智浦半导体宣布推出采用3x3mm小型无铅封装、带集成稳压器的LIN收发器系列产品TJA1028。通过在单芯片上集成典型LIN网络ECU微控制器的主要外设功能，该稳压器可为车载电子控制装置（ECU）供电。
关键词：集成稳压器 无铅封装 LIN 收发器 紧凑 电子控制装置 微控制器 半导体 
恩智浦推出集成稳压器的紧凑封装LIN收发器
《微电脑世界》2011年第4期20-20,共1页
3月29日,恩智浦半导体宣布推出采用3×3mm小型无铅封装、带集成稳压器的LIN收发器系列产品TJA1028。通过在单芯片上集成典型LIN网络ECU微控制器的主要外设功能，该稳压器可为车载电子控制装置（ECU）供电。
关键词：集成稳压器 无铅封装 LIN 收发器 紧凑 电子控制装置 微控制器 半导体 
SOD882D：无铅封装产品
《世界电子元器件》2010年第11期34-34,共1页
恩智浦半导体推出采用可焊性镀锡侧焊盘的无铅封装产品SOD882D。这是一款2引脚塑料封装产品，尺寸仅为1mm×06mm．是纤薄型设备的理想之选。其高度仅有0.37mm（典型值）．同时也是1006尺寸（0402英寸）系列中最扁平封装的产品之一，提...
关键词：无铅封装 产品 开关二极管 ESD保护 塑料封装 可焊性 半导体 尺寸 
恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装
《中国集成电路》2010年第7期6-6,共1页
恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两...
关键词：无铅封装 行业标准 低高度 表面封装器件 MOSFET 肖特基整流器 使用寿命 热性能 
无铅封装中镀覆层对PBGA耐湿热可靠性的影响被引量：1
《桂林电子科技大学学报》2009年第6期503-506,共4页周鹏 海洋 马亚辉 
随着电子产业中无铅替代有铅的迫切要求,无铅产品的应用越来越广泛,多种材料在无铅电子封装中的应用,使得界面反应与含铅产品相比更为复杂。通过对PBGA器件与不同表面镀层(OSP,ENIG)的PCB板互连形成的SnAgCu焊点,在高湿和炎热条件下的...
关键词：无铅 湿热 界面反应 可靠性 
OMNIVISION推出全球最小巧的汽车成像系统级芯片(SOC)
《传感器世界》2009年第6期43-43,共1页
美国OmniVision Technologies公司最新发布了最新的AutoVision成像解决方案，可满足汽车业对辅助驾驶系统应用（如倒车摄像头和后视镜死角监视系统）更高成像效果的要求。产品不仅可以提供优异的低光性能（〈0．01／lux），并且，由于...
关键词：成像效果 汽车业 系统级芯片 辅助驾驶系统 监视系统 无铅封装 CMOS 后视镜 
英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS3系列可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%
《电源世界》2008年第6期17-17,共1页
2008年5月23日，德国Neubiberg和中国深圳讯英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）今日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS口3N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅...
关键词：无铅封装 通态电阻 电信应用 消费类 N沟道MOSFET 工业 功率 股份公司 
英飞凌SuperSO8无铅封装OptiMOS 3系列提升功率密度
《电子设计应用》2008年第9期119-119,共1页章 
英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比，SuperS08封装可使功率密度增大50％。采用SuperS08封装的器件...
关键词：无铅封装 功率密度 N沟道MOSFET 低导通电阻 英飞凌公司 封装形式 击穿电压 TO封装 
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