英飞凌SuperSO8无铅封装OptiMOS 3系列提升功率密度  

作　　者：章 

出　　处：《电子设计应用》2008年第9期119-119,共1页Electronic Design & Application World

摘　　要：英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比，SuperS08封装可使功率密度增大50％。采用SuperS08封装的器件可以只用20％的占位空间提供与D^2-Pak封装相同的导通电阻。

关 键 词：无铅封装 功率密度 N沟道MOSFET 低导通电阻 英飞凌公司 封装形式 击穿电压 TO封装 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.1