半导体制造的新材料:工艺的革命  

作　　者：Ravi Kanjolia 

机构地区：[1]SAFC Hitech Haverhill,Mass. Semiconductor International

出　　处：《集成电路应用》2008年第8期32-34,共3页Application of IC

摘　　要：通过不断的比较材料特性,来寻找适合ALD和CVD使用的高k和金属栅材料前驱物。对于32nm技术节点来讲,材料的挥发性,输运方式以及纯度等问题变得至关重要。

关 键 词：新材料 半导体制造 工艺 材料特性 技术节点 前驱物 栅材料 CVD 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学] TB3[一般工业技术—材料科学与工程]