SOI技术特点及晶圆材料的制备  

The SOI Characteristics and Fabrication of SOI Material

作　　者：罗浩平[1] 张艳飞[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2008年第6期1-5,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：随着微电子技术发展,要使器件水平进一步提高,除了进一步缩小芯片的特征尺寸外,采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案,阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点。文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法,目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Impolanted Oxygen)方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法。指出了SOI很有可能成为今后高性能和高可靠集成电路材料的主流。Adopt new material is effective method to improve IC characteristics in microelectronic technology development besides feature size reduction. The resolutions of SOI technology are described in this paper. The advantages of SOI devices over silicom devices are included.The fabrications of SOI material are also included as SIMOX （ Seperation by Impolanted Oxygen ）, BESOI （ Bonding-Etchback SOI ）, Smart Cut SOI. The SOI could be the mainstream of high characteristic and reliabiliteis IC material.

关 键 词：SOI 晶圆材料 制备方法 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]