短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究  

作　　者：詹娟[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《微电子学》1997年第5期323-325,共3页Microelectronics

摘　　要：利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。

关 键 词：SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件 集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]