低能氮离子注入形成氮化硅,氮氧化硅的研究  

作　　者：柴剑维[1] 杨国华[1] 

机构地区：[1]中科院上海原子核研究所

出　　处：《青岛大学学报（自然科学版）》1997年第A00期309-309,共1页Journal of Qingdao University(Natural Science Edition)

关 键 词：氮化硅 氮离子 离子注入 硅 氮氧化硅 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]