面对新材料的挑战-先进化学机械研磨清洗技术简介  

作　　者：赵润涛 

出　　处：《集成电路应用》2008年第10期47-48,共2页Application of IC

摘　　要：随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的铜代替以前的铝成为新的金属互连线，金属之间的介质材料也从以前的TEOS SiO2到低介电常数的FSG，

关 键 词：化学机械研磨 新材料 清洗技术 半导体制造技术 金属互连线 低介电常数 TEOS 介质材料 

分 类 号：TN405.96[电子电信—微电子学与固体电子学] TB3[一般工业技术—材料科学与工程]