化学机械研磨

作品数：85被引量：47H指数：3
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Micro-OLED显示斜纹Mura的研究及改善
《科技创新与应用》2024年第26期96-99,104,共5页杨宗顺 李世鹏 苏冬冬 李云龙 杨盛际 黄寅虎 单庆山 何云川 陶雄 
硅基微显示(Micro-OLED)工艺中,在进行驱动线路制备时,需进行化学机械研磨(CMP)处理,保证金属互联层的稳定性及均一性。不同材料对CMP工艺的耐受性存在差别,切割道或净空区通常为介电材料层(SiO、SiNx等绝缘层),较金属膜层区域更易受CM...
关键词：微显示 涂覆 关键尺寸 不均一 化学机械研磨 
应用于一体化芯片晶圆级集成的铜孔表面平坦化工艺设计与实现被引量：1
《传感器技术与应用》2023年第4期324-331,共8页潘代强 周洲 姜喆 
混合键合技术是感存算一体化芯片晶圆级集成的核心工艺,铜制程化学机械研磨平坦化技术工艺能否在较短的研磨时间取得较高的平整度控制、较小的蝶形和侵蚀缺陷决定了混合键合工艺水平及生产效率;传统铜制程化学机械研磨采用两步研磨法,...
关键词：铜制程化学机械研磨 三步法研磨工艺 工艺优化 
3D NAND存储芯片生产线CMP工艺及设备配置研究
《真空科学与技术学报》2023年第8期724-730,共7页程星华 白帆 赵馨飞 邱雪皎 
随着5G、物联网、自动驾驶等新型产业的兴起,人类社会将产生海量的信息数据,因而极大促进了存储芯片产业的快速发展。3D NAND作为存储芯片的主流技术,器件结构具有多层垂直堆叠、高深宽比等特点。在其不同技术节点的产品生产加工过程中...
关键词：半导体存储 化学机械研磨 技术节点 设备选型 数量配置 
晶圆化学机械研磨(CMP)用CVD金刚石修整碟制造要点被引量：1
《造纸装备及材料》2023年第7期84-86,共3页刘俊杰 
在半导体晶片的制造过程中,化学机械研磨(以下简称CMP)是一道必不可少的工序,随着特征线宽10 nm以下的时代到来,CMP制程要求具备更高的稳定性和良率,这就促使CMP工序除了要求制造设备本身的高品质,其三大耗材研磨液(slurry)、研磨垫(pad...
关键词：晶圆化学机械研磨 金刚石修整碟 金刚石膜 
一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法
《中国集成电路》2022年第6期74-77,共4页魏代龙 
MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义。通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中...
关键词：内部高速振荡器 温度敏感性 浅沟槽隔离化学机械研磨 有源区损伤 多晶硅光刻 
沈阳工业大学科研成果介绍 全自动乳浊液/悬浊液泥水处理设备
《辽宁化工》2021年第10期1597-1597,共1页
适用范围:石油化工、钢铁、焦化、煤气发生站乳浊液废水;机械工业化学机械研磨液、切削液乳化废水及光饰行业废液。参照标准:辽宁省污水综合排放标准(DB 21/1627-2008)机械工业含油废水排放规定(JS 7740-95)。
关键词：煤气发生站 科研成果 参照标准 沈阳工业大学 石油化工 化学机械研磨 切削液 乳浊液 
多晶硅CMP制程后清洗工艺研究与改善被引量：1
《集成电路应用》2021年第7期48-51,共4页李儒兴 程君 李协吉 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)。
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清洗过程对多晶硅表面的自然氧化层的生长具有显著的影响,从而成为蚀刻后多晶硅源线线宽(CD)的重要影响因...
关键词：集成电路制造 多晶硅 化学机械研磨 后清洗 线宽 自然氧化层 
沈阳工业大学科研成果介绍:全自动乳浊液/悬浊液泥水处理设备
《辽宁化工》2021年第4期556-556,共1页
适用范围:石油化工、钢铁、焦化、煤气发生站乳浊液废水;机械工业化学机械研磨液、切削液乳化废水及光饰行业废液。参照标准:辽宁省污水综合排放标准(DB 21/1627—2008)机械工业含油废水排放规定(JS 7740—95)技术优势。
关键词：煤气发生站 科研成果 参照标准 沈阳工业大学 石油化工 化学机械研磨 切削液 乳浊液 
集成电路制造中的化学机械抛光CMP国产设备应用
《集成电路应用》2021年第1期1-3,共3页王智 王哲 曹孟云 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
化学机械抛光CMP工艺是集成电路制造的核心技术,90%以上的高端CMP机台设备和抛光液、抛光垫等关键耗材均被国外供应商垄断。阐述CMP国产设备与大尺寸晶圆片生产线的有效结合,达到产学研合作攻关的目的,有利于快速提升我国CMP工艺设备水...
关键词：集成电路制造 晶圆 化学机械研磨 
半导体代工厂研磨废水的堵管研究被引量：3
《节能与环保》2020年第8期68-69,共2页张云秀 赵记 陆宇杰 
半导体代工厂化学机械研磨(CMP)研磨液的主要成分为二氧化硅(SiO2)颗粒,排放废水中也含有SiO2。此物质会造成悬浮物(SS)偏高,在14~28nm制程中会与同时排放的化学药剂反应造成厂务废水系统堵管,在压滤单元会造成滤布堵塞。工程实践表明,...
关键词：半导体 化学机械研磨 研磨废液 酸洗 碱洗 制程排放系统 
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