SiR476DP：功率MOSFET  

机构地区：[1]摩托罗拉

出　　处：《世界电子元器件》2008年第12期53-53,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP，从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM），在4．5V时为89．25nC。

关 键 词：功率MOSFET 直流转换器 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 N通道 器件 优值 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN86