微小等离子体发生器刻蚀机理的研究  

Etching Mechanism of Microplasma Reactor for Scanning Plasma Etching

作　　者：王海[1] 文莉[2] 向伟伟[2] 张秋萍[2] 褚家如[2] 

机构地区：[1]安徽工程科技学院机械工程系,芜湖241000 [2]中国科学技术大学工程科学学院,合肥230027

出　　处：《微细加工技术》2008年第5期50-52,55,共4页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50605061);安徽工程科技学院青年基金资助项目(m01009);安徽工程科技学院科研启动基金资助项目(S01003)

摘　　要：采用二维流体模型对扫描刻蚀加工中的微小等离子体发生器的刻蚀机理进行了数值仿真研究。该微小等离子体发生器为微空心阴极放电器件,当工作气体为SF6,工作气压在5 kPa^9 kPa时,空心阴极处微孔半径为0.25μm时,空心阴极外部区域的F原子的有效弥散长度在0.5μm^1.8μm之间变化,且浓度在3×1011cm-3~1.7×1012cm-3之间,基本满足扫描刻蚀加工的需求。The etching mechanism of the microplasma reactor for Scanning Plasma Etching is digitally simulated with a two dimensional fluid model. The reactor was a microhollow cathode discharge device. When the operating gas is SF6 and its pressure is 5 kPa - 9 kPa, the F atom dispersion length outside the hollow cathode（0.25 micrometer diameter） is between 0.5μm and 1.8 μm, the density of F atom is between 3×10^11 cm^-3 - 1.7×10^12 cm^-3, which could satisfy the requirement for silicon scanning etching.

关 键 词：扫描等离子体刻蚀 等离子体模拟 微小等离子体 

分 类 号：O53[理学—等离子体物理]