降低双重图形光刻的成本  

作　　者：J.Provoost A.Miller M.Maenhoudt 

机构地区：[1]IMEC

出　　处：《集成电路应用》2008年第11期37-38,共2页Application of IC

摘　　要：双重图形（DP）将是32nm技术节点的备选光刻技术之一。但由于这种方法需要两次曝光和两次刻蚀步骤,因此工艺成本较高且比较耗时。IMEC及其研发伙伴已经详细研究了替代工艺流程,从成本、关键尺寸均匀性（CDU）、线条粗糙度（LR）和套刻精度的角度,对工艺流程和材料进行了评估。

关 键 词：工艺成本 光刻技术 图形 工艺流程 技术节点 两次曝光 关键尺寸 套刻精度 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学] TH162[机械工程—机械制造及自动化]