集成SiON栅介质在半导体中的应用与展望  

作　　者：方志军 

机构地区：[1]应用材料中国

出　　处：《集成电路应用》2008年第11期51-52,共2页Application of IC

摘　　要：集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电流的大小取决于栅极电容。栅极电容与栅极表面积成正比,与栅介质厚度成反比。因此,通过增加栅极表面积和降低栅介质厚度均可提高栅极电容。随着半导体技术的不断发展，集成电路的集成度也不断提高。

关 键 词：半导体技术 集成电路 MOSFET器件 栅介质 展望 应用 驱动电流 介质厚度 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] TN402