静电感应晶体管I-V特性的控制  

Control on IVCharacteristics of Static Induction Transistor

作　　者：刘瑞喜[1] 李思渊[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理系

出　　处：《半导体技术》1998年第3期14-18,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。The SITIVcharacteristics including triodelike,pentode like and mixed between triodeand pentodelike depend on the device structure and parameters.The channel length lc,channel thickness dc,the ratio of lc/dc,and the channel doping concentration ND are all essential parameters in determining the operation mode of SIT.In this paper the general control principle and method on the above parameters are reported,the control criteria are given and a control factor β is introduced.Especially,the control on the mixed triodepentode characteristics is discussed in detail.

关 键 词：静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管 

分 类 号：TN322[电子电信—物理电子学]