通过抑制纵横比减少晶格失配外延层中的缺陷  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2009年第3期1-2,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：关于Ge和Ⅲ—Ⅴ族化合物在Si上的集成的研究已有几十年。这样做的目的有2个：一是给SiCMOS逻辑电路增加新功能（如：产生及操控光信号），二是为Ⅲ-Ⅴ族薄膜的研制提供较廉价的衬底。近来，Gb和Ⅲ-Ⅴ族材料被用作极大规模集成电路（VLSI）应用中Si高性能数字逻辑晶体管的“继承者”，

关 键 词：晶格失配 大规模集成电路 外延层 纵横比 CMOS逻辑电路 缺陷 Ⅲ-Ⅴ族 数字逻辑 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] O484[理学—固体物理]