用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器  

1 080 nm semiconductor laser for light source of He-pumping

作　　者：曹宏斌[1] 毛庆丰[1] 张道银[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》1999年第6期390-392,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围，介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。InGaAs/GaAs strained quantum well laser has its own specific rang of wavelength.Its structure and typical characteristics as well as its applications are introduced.

关 键 词：半导体激光器 INGAAS/GAAS 应变量子阱结构 特性 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]