张道银

作品数：3被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：激光器INGAAS/GAAS半导体激光器氦原子量子阱结构更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器被引量：2
《半导体光电》1999年第6期390-392,共3页曹宏斌 毛庆丰 张道银 
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围，介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。
关键词：半导体激光器 INGAAS/GAAS 应变量子阱结构 特性 
砷化镓大光腔大功率激光器
《半导体光电》1992年第3期252-254,共3页张道银 毛庆丰 
简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。
关键词：激光器 大光腔 双异质结构 砷化镓 
金属有机化学汽相淀积技术
《半导体光电》1987年第2期-,共8页张道银 程泰平 
本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。
关键词：MOCVD 半导体光电器件 激光器 光激射器 电子器件 外延层 氯化物 卤化物 GaAs 载流子浓度 载流子密度 LPE 外延生长 晶体生长 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部