曹宏斌

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：INGAAS/GAAS半导体激光器氦原子量子阱结构更多>>
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用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器被引量：2
《半导体光电》1999年第6期390-392,共3页曹宏斌 毛庆丰 张道银 
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围，介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。
关键词：半导体激光器 INGAAS/GAAS 应变量子阱结构 特性 
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