用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列  

Ordering InAs Islands Grown on (001) InP Substrate Controlled by Using Tensile Strained GaAs Layer

作　　者：王本忠[1,2] 赵方海[1,2] 彭宇恒[1,2] 刘式墉[1,2] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区 [2]吉林大学电子工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第3期226-228,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：集成光电子学国家重点实验室开放课题资助

摘　　要：提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．Abstract We present a new method to form ordered InAs quantum dots. By using GaAs tensile strained layer on (001) InP substrate, two dimensional alignment InAs islands are obtained on GaAs layer grown by LP MOCVD.

关 键 词：砷化铟 磷化铟 MOCVD 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]