基于锗硅工艺的40-Gb／s分接器  

40-Gb/s Demultiplexer Based on SiGe Process

作　　者：王贵[1,2] 王志功[2] 李伟[2] 唐万春[1] 

机构地区：[1]南京理工大学,电子工程与光电技术学院,南京210094 [2]东南大学,射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第2期276-280,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家863计划项目支持(2003AA31G030)

摘　　要：采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺设计了一个1∶2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路的工作速度不能达到要求,对此加以了改进,在发射极耦合逻辑结构中增加一级射极跟随器,形成发射极-发射极耦合逻辑(E2CL)结构,从而提高电路的工作速度。测试结果显示,所设计分接器的工作速度可以达到40Gb/s。整个电路采用单电源5V供电,功耗为510mW。A 1 ： 2 demultiplexer was designed in 0.35μm SiGe BiCMOS process. An impro- ved structure was used to realize the core cell of this circuit. The traditional emitter-coupled-logic （ECL） circuit can not satisfy the requirement. So in this paper, the emitter-emitter-coupled-logic （EZCL） improved by adding an emitter follower to ECL was used. This can increase its speed. The measurement results show that this demultiplexer can operate at the data rate of 40 Gb/s. The whole circuit with single 5 V supply consumes 510 mW.

关 键 词：分接器 锗硅 锁存器 缓冲器 发射极-发射极耦合逻辑 

分 类 号：TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]